メモリーETF投資熱、サムスン電子・SKハイニックス高騰でQQQを圧倒

メモリー半導体に集中投資する米国上場ETFが、2026年のAIインフラ相場の中心に浮上した。サムスン電子、SKハイニックス、マイクロンなどHBM・DRAM供給企業の株価上昇がETFの収益率と資金流入を同時に押し上げ、ナスダック100を追うQQQの短期成績を大きく上回った。ただしQQQは100社の大型成長株に分散する中核ETFで、メモリーETFは一つの産業と少数銘柄にリスクが集中する商品だ。

AIのボトルネックはメモリーへ

AIデータセンター投資はGPUから高帯域幅メモリー、DRAM、NAND、SSDへ広がっている。投資家の視線はメモリー供給網へ移った。サムスン電子とSKハイニックスはHBMと汎用DRAM価格上昇の直接的な恩恵を受ける企業であり、マイクロン、サンディスク、キオクシアを含むETFがAIハードウェア不足に投資する代表商品となった。多くの米国半導体ETFは米国上場銘柄中心で、韓国市場の大型株を十分に組み入れにくい。

2カ月で200億ドル台のテーマ資金

代表的なDRAMメモリーETFは2026年4月2日の上場後、約50日で純資産100億ドルを突破し、その後200億ドル台まで拡大した。1ドル1400ウォンなら約28兆ウォンに相当する。上場初期の収益率は一時160%前後まで上昇し、同期間のQQQを圧倒した。QQQの経費率は0.18%で、DRAMは0.65%のアクティブETFとしてメモリー・ストレージ企業に集中する。

韓国投資家への影響

韓国投資家にとっては、韓国半導体を米国ETF経由で買い戻す構造だ。海外ETFの譲渡益課税、配当源泉徴収、為替スプレッド、夜間取引の変動性を確認する必要がある。資金流入が続けばサムスン電子とSKハイニックス、韓国半導体素材・部品株にも追い風となる。AI投資減速、HBM価格調整、輸出規制、供給過剰が進めばQQQより下落幅が大きくなり得る。